早在两年前三星就透露将继续生产Rambus颗粒内存，今天他们终于宣布已经开始其576Mbit RDRAM颗粒的大规模生产，公司称该芯片可以提供1200Mbps的传输速率，该内存颗粒将应用于大型机、高级服务器以及高级网络设备等。

　　该颗粒采用.11微米工艺制造，将用于构建RIMM（Rambus in line memory）模组，最大容量可以支持到10GB。三星称4通道系统能够提供的位宽是双通道DDR400的1.5倍。