Micron今天发布了288Mb的RLDRAM-II内存芯片样品，该内存芯片工作在400MHz DDR。RLDRAM-II在高速DDR SDRAM基础上综合了高速随机访问、高位宽、高密度等技术特点，对数据的交换、存储以及应用方面进行优化。
现今的高速网络应用要求提高在数据传输方面的位宽，RLDRAM-II产品的架构正好可以满足这方面的要求，该产品可以提供28.8Gb/s吞吐量，使用36bit接口以及400MHz系统频率。Micron这款样品提供20ns的tRC（random cycle time），此外还具备ODT、DLL等技术特性，核心电压1.8v。这样众多的新特性为设计人员提供了灵活的设计操作空间。
RLDRAM-II设备采用144-ball FBGA 11mm×18.5mm封装方式，提供高速数据传输性能的同时也保证了升级的方便。Infineon和Micron联合开发的RLDRAM架构，确保了标准化、多源化以及良好的兼容特性。 |
