日前，Intel声称他们已经制造了基于65纳米工艺的SRAM（静态存储器）芯片，并且可以在2005年使用12英寸（300mm）硅晶片投入量产。

    这些采用65纳米工艺制造的芯片将才用Intel第二代单晶硅技术，并且采用铜互连技术和Low-K技术。这次制造的SRAM芯片的单一元件尺寸为0.57平方微米，每个单一元件仅仅包括6个晶体管，一千万个这样的元件的总面积也不过只有圆珠笔头的小金属珠那样大。

    来自Intel的技术部门的总经理Sunlin Chou称，Intel的65纳米技术已经将摩尔定律再次扩展。这种采用65纳米工艺的芯片将在位于美国俄勒冈州的Hillsboro的工厂生产，这里可以说是目前世界上最先进的晶片制造基地了。